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失效分析技術(shù)與設(shè)備
技術(shù) | 探測(cè)源 | 探測(cè)物理量 | 用途 |
電參數(shù)測(cè)試分析 | 電信號(hào) | 確定失效模式和失效管腳定位 | |
掃描聲學(xué)顯微分析（SAM） | 超聲波 | 超聲波 | 測(cè)量超聲波傳播，分析材料彈性特征，晶體缺陷和多層結(jié)構(gòu)分析，結(jié)構(gòu)截面的非破壞性分析 |
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X射線光電子能譜（XPS） | 特征X射線 | 光電子 | 通過測(cè)量光電子能量確定殼層能級(jí)，利用化學(xué)位移測(cè)量化學(xué)鍵和化合物，元素確定，化學(xué)位移 |
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二次離子質(zhì)譜（SIMS） | 離子 | 二次離子 | 元素確定，表面元素分布 |
技術(shù) | 探測(cè)源 | 探測(cè)物理量 | 用途 |
光學(xué)顯微鏡 | 可見光 | 反射光 | 表面形貌，尺寸測(cè)量，缺陷觀察 |
掃描電子顯微分析（SEM） | 電子 | 二次電子，背散射電子 | 表面形貌，晶體缺陷，電位分布， |
X射線能譜分析（EDS） | 電子 | 特征X射線 | 元素分析及元素分布 |
俄歇電子能譜（AES） | 電子 | 俄歇電子 | 表面元素確定和元素深度分布 |
聚焦離子束（FIB） | 離子 | 二次離子 | 截面加工和觀察 |
透射電子顯微技術(shù)（TEM） | 電子 | 電子 | 截面形貌觀察，晶格結(jié)構(gòu)分析 |
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